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實驗室用納米CVD石墨烯/碳納米管合成器技術
? 型號。 納米CVD-8G（用于石墨烯合成）
?型號。 納米CVD-8N（用于碳納米管）
每批僅需 1 分鐘，可輕松合成高質量石墨烯和碳納米管
CVD法是一種穩(wěn)定的技術，已經建立了多種用途，它是未來大規(guī)模合成石墨烯和碳納米管的最現實的方法，因此我們在這臺機器中采用了CVD方法。 制造商Moorfield與英國國家研究所合作，多次驗證了這種薄膜沉積實驗裝置。 在與研究機構的合作下，已經驗證了使用拉曼光譜，SEM，AFM等分析數據可以制備高質量的石墨烯和CNT樣品。
采用冷壁/高溫樣品加熱臺（熱板），反應快，重現性好。 設備小型化，加工時間縮短，可操作性強，可創(chuàng)建并存儲30種合成配方。 除了標準系統(tǒng)配置外，還可以根據要求定制設備配置。 nanoCVD系統(tǒng)是一種實驗裝置，盡管體積小，但具有為基礎研究和開發(fā)領域做出貢獻的無限潛力。
無需使用大型設備即可輕松進行石墨烯碳納米管 （SWNT） 沉積實驗
1批次只需30分鐘！
冷壁式高效高精度過程控制
快速升溫：室溫→1100°C約3分鐘
高性能機器，具有高精度的溫度流量控制和出色的可重復性
操作簡單！ 通過 5 英寸觸摸屏進行操作和配方管理
最多可創(chuàng)建和保存 30 個配方和 30 步合成程序。
標配專用軟件，數據記錄為輸出PC上的CSV文件
USB電纜連接，PC端的配方創(chuàng)建→上傳到設備
帶旋轉泵的納米CVD-8N
nanoCVD-8N是一種通過CVD化學氣相沉積法使用各種基質和催化劑在短時間內生長CNT的系統(tǒng)。 碳納米管是通過將 CH2、C2H3 和 C3H4 等烴原料與薄膜或細顆粒（如鐵、鈷和鎳）反應產生的，這些薄膜或細顆粒用作催化劑，在石墨臺上使用 SiO1100/Si、Al4O2/Si 和 Si4N2 等基材在高達 2°C 的高溫下燃燒。
寬度為7um的低覆蓋率的SEM圖像
高覆蓋寬度2.8um的SEM圖像
使用納米CVD-8N制作的“SWNT森林"的SEM圖像，圖像寬度24um）
原子力顯微鏡圖像
拉曼光譜514nm激光器
D&G拉曼峰區(qū)域
