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真空蒸鍍裝置VE-2013的原理分析
真空鍍膜是指在高真空條件下，利用各種物理或化學方法將靶材表面氣化或 電離，再沉積到基底表面形成薄膜。真空鍍膜技術(shù)分為物理氣相沉積（PVD）和化 學氣相沉積（CVD）。物理氣相沉積法主要分為真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真 空離子鍍膜。在鈣鈦礦層制備中，主流使用方法為蒸發(fā)鍍膜，簡稱蒸鍍法。
1）蒸發(fā)鍍膜：真空條件下，通過電阻加熱、電子束轟擊等方法使鍍料靶材受 熱蒸發(fā)，靶材分子逸出，從鍍料遷移到基片表面，沉積形成薄膜。
2）濺射鍍膜：真空條件下，向裝置內(nèi)充入氬氣（Ar），高電壓下氬氣輝光放 電，電離的氬離子在電場力作用下加速轟擊放置在陰極的靶材，被濺射出的靶材分 子沉積在基片表面形成薄膜。
3）離子鍍膜：真空條件下，通過等離子體電離技術(shù)離化鍍料靶材，靶材分子 部分電離。基片外接高壓負極。在深度負偏壓下靶材分子向基片運動，沉積到基片 表面形成薄膜。
VE-2013是一款簡單的真空蒸鍍裝置，繼承了VE-2030（我公司制造）的概念。外殼內(nèi)置TMP，實現(xiàn)緊湊外殼。由于是臺式機，所以不會占用太多空間。RP 放置在地板上。
我們使用緊湊的 TMP+RP 排氣系統(tǒng)以低廉的價格提供清潔、高真空的蒸發(fā)系統(tǒng)。它消除了復雜的排氣操作，只需觸摸面板開關(guān)的ON/OFF控制即可實現(xiàn)全自動。
使用鎢籃可以沉積金、鋁、鉻、銀等。碳蒸鍍采用夾具蒸鍍槍型，使用特殊碳（ SLC-30 ）進行蒸鍍。（不能使用φ5mm碳棒。）
購買時，您可以選擇碳氣相沉積電極或金屬氣相沉積電極。可以選擇購買額外的電極。
主要產(chǎn)品規(guī)格
| 物品 | 規(guī)格 |
| 電源 | AC100V（單相100V15A） |
| 設(shè)備尺寸 | 寬428mm，深430mm，高550mm （設(shè)備重量38kg） |
| 旋轉(zhuǎn)泵（外部） | 抽速50?/min (G-50DA) (重量11kg) |
| 渦輪泵（內(nèi)置裝置） | 排氣速度67?/秒 |
| 樣品臺 | 直徑72毫米 |
| 氣相沉積源-樣品臺距離 | 可調(diào)范圍：0mm 至 140mm |
