| 場景 | 痛點與挑戰 | TB?01 的解決方式 | 推薦粒徑 | 預期效果 |
|---|---|---|---|---|
| 精細陶瓷粉體 | 高硬度難磨、純度要求高、易團聚 | 99.99% 高純度、低雜質;α?Al?O?細晶耐磨;低密度抑制過磨與團聚 | φ0.1–0.3 mm | 粒徑更細更均勻、批次穩定、減少缺陷 |
| 電子材料 | 雜質致性能劣化、輻射敏感 | 極低 Na/K/Si/Fe 等雜質;U<4 ppb、Th<5 ppb | φ0.1–0.2 mm | 純度達標、沒有輻射干擾、良率提升 |
| 油墨 / 顏料 / 涂料 | 粒徑不均、色力與光澤不足 | 高耐磨低污染;低密度溫和研磨 | φ0.1–0.4 mm | 粒徑分布窄、著色力與光澤提升 |
| 電池材料 | 過磨致結構破壞、雜質影響循環 | 低密度控能量輸入;低雜質防副反應 | φ0.2–0.5 mm | 粒徑可控、結構完整、循環穩定 |
| 玻璃 / 磨料 | 高硬度難磨、磨耗大 | 高硬度與耐磨;耐酸耐堿耐高溫 | φ0.3–0.5 mm | 研磨效率提升、磨耗降低、壽命延長 |
| 醫療 / 光學 | 輻射敏感、純度與潔凈度要求高 | 極低放射性;高純度低污染 | φ0.1–0.2 mm | 滿足輻射與純度規范、無干擾 |
痛點:氧化鋁、氧化鋯等高硬度粉體難磨,且需高純度以保證燒結性能與微觀結構均勻性。
TB?01 優勢:99.99% 高純度,雜質含量極低(如 Na 8 ppm、Si 10 ppm),避免雜質引入;細晶 α?Al?O?結構耐磨,壽命為市售氧化鋯珠數倍,降低污染風險。
應用建議:用于介質攪拌磨或砂磨機,采用 φ0.1–0.3 mm 粒徑,填充率約為氧化鋯的 2/3,可抑制過磨與團聚,獲得 D50<100 nm 的均勻粉體,提升陶瓷致密度與力學性能。
痛點:電子漿料、MLCC 介質、半導體材料等對雜質與放射性敏感,雜質可能導致短路或性能劣化。
TB?01 優勢:極低放射性(U<4 ppb、Th<5 ppb),適合醫療影像、半導體等輻射敏感領域;高純度減少雜質引入,保障電子元件性能穩定。
應用建議:用于超細電子漿料研磨,選用 φ0.1–0.2 mm 粒徑,在高轉速砂磨機中實現納米級分散,確保漿料均勻性與批次一致性,提升元件良率。
痛點:顏料粒徑不均導致色力不足、光澤差,且研磨過程易引入雜質影響產品質量。
TB?01 優勢:高耐磨低污染,研磨過程中介質損耗小,減少雜質污染;低密度(約氧化鋯的 2/3)可溫和研磨,避免過磨與團聚,提升顏料分散穩定性。
應用建議:在臥式砂磨機或籃式研磨機中使用 φ0.1–0.4 mm 粒徑,根據顏料硬度調整填充率與轉速,獲得窄分布粒徑,提升色力、光澤與儲存穩定性。
痛點:正極材料(如三元、磷酸鐵鋰)過磨會破壞晶體結構,影響循環性能;雜質會導致副反應,降低電池壽命。
TB?01 優勢:低密度(約 3.6 g/cm3)減少研磨能量輸入,抑制過磨與結構破壞;高純度與低雜質避免副反應,保障電池循環穩定性。
應用建議:用于三元材料或磷酸鐵鋰前驅體研磨,選用 φ0.2–0.5 mm 粒徑,在循環砂磨機中控制研磨時間與溫度,獲得 D50<5 μm 的均勻顆粒,提升振實密度與倍率性能。
痛點:玻璃粉、碳化硅等高硬度材料難磨,且研磨介質易磨損,導致污染與效率低下。
TB?01 優勢:高硬度與耐磨性,適合研磨高硬度材料;耐酸耐堿耐高溫,在寬溫度范圍內性能穩定,不易腐蝕。
應用建議:在立式攪拌磨或振動磨中使用 φ0.3–0.5 mm 粒徑,適當提高填充率以提升研磨效率,降低介質損耗,獲得均勻玻璃粉或磨料顆粒,用于精密拋光或磨具制造。
痛點:醫療影像設備部件、光學玻璃等對輻射與純度要求高,普通研磨介質可能引入放射性或雜質。
TB?01 優勢:極低放射性(U<4 ppb、Th<5 ppb),沒有輻射干擾;99.99% 高純度,避免雜質影響光學性能或醫療設備精度。
應用建議:用于醫療陶瓷部件或光學玻璃拋光,選用 φ0.1–0.2 mm 粒徑,在低速精密研磨機中進行,確保表面質量與純度要求,提升設備性能與安全性。
| 特性 | TB?01 高純度氧化鋁球 | 普通氧化鋯珠 | 選型建議 |
|---|---|---|---|
| 純度 | 99.99%,低雜質低放射性 | 通常 95–99%,雜質較高 | 高純度、輻射敏感場景選 TB?01 |
| 密度 | 約 3.6 g/cm3 | 約 6.0 g/cm3 | 納米研磨、防過磨選 TB?01 |
| 耐磨性 | 研磨氧化鋁粉時為氧化鋯珠數倍 | 中等,高溫下耐磨下降 | 高硬度物料、長期使用選 TB?01 |
| 填充重量 | 氧化鋯的 2/3,能耗低 | 較重,能耗較高 | 追求節能與低成本選 TB?01 |
| 適用溫度 | 寬溫度范圍穩定 | 高溫下耐磨降低 | 高溫研磨場景選 TB?01 |
粒徑選擇:納米級研磨選 φ0.1–0.3 mm,亞微米級選 φ0.3–0.5 mm;高硬度物料可適當增大粒徑。
填充率:通常為研磨容器有效容積的 60–80%,因 TB?01 密度低,填充重量為氧化鋯的 2/3 即可達到相近研磨效果,可降低能耗。
設備匹配:適合介質攪拌磨、砂磨機、振動磨等;臥式砂磨機效率較高,適合大規模生產。
工藝控制:控制研磨溫度 < 60℃,避免漿料過熱影響物料性能;定期檢測介質磨損與漿料純度,確保產品質量穩定。
©2025 秋山科技(東莞)有限公司(www.dehuifx.com) 版權所有 總訪問量:583453 sitemap.xml
地址:東莞市塘廈鎮塘廈大道298號603室 技術支持:環保在線 管理登陸 備案號:粵ICP備20060244號

